Seoul Economic Daily uvádí, že Nvidia požádala Samsung, SK hynix a Micron, aby základní čip (base die) její paměti NVHBM vyráběly na 3nm procesu TSMC. Divize Device Solutions společnosti Samsung po vnitřním posouzení údajně souhlasila. Zpráva vychází z informací z průmyslu a nejde o oficiální oznámení.
NVHBM, představená v srpnu a postavená na HBM4E, přesouvá paměťový řadič do základního čipu. Nvidia uvádí až o 30 % vyšší propustnost, o 15 % nižší spotřebu a o 25 % větší plochu pro výpočetní čip než u standardní HBM4E. Jeden proces zajistí, že se jediný návrh Nvidie chová stejně u všech dodavatelů. Odhady z odvětví dávají výtěžnost 3nm procesu TSMC nad 90 %, u 2nm procesu Samsungu zhruba 60 %.
Samsung u tohoto zakázkového dílu přichází o nabídku výroby na klíč, ale základní čipy pro standardní HBM4/HBM4E nadále vyrábí na vlastním 4nm procesu, stejně jako zakázkovou HBM pro zákazníky, např. AMD. Údajně ověřuje i záložní variantu na 2 nm. Základní čip je nyní plnohodnotná logika, takže NVHBM bude soupeřit o stejné 3nm wafery s AI akcelerátory a špičkovými čipy do telefonů.