Čínský výrobce pamětí ChangXin Memory Technologies (CXMT) oznámil sériovou výrobu své páté generace platformy DRAM s názvem G5, a to 20. září na World Manufacturing Convention v Chefeji. Podle firmy dosahuje v paměťovém poli půlrozteče 11,95 nanometru díky čtyřnásobnému vzorování (quadruple patterning) a z jednoho waferu získá alespoň o 50 % více čipů než předchozí generace.
Dva 24gigabitové produkty LPDDR5X pro chytré telefony a přenosná zařízení už jsou v sériové výrobě. Každý pojme o 50 % více dat než dřívější 16gigabitové čipy CXMT. Firma neuvedla výtěžnost ani měsíční objem výroby a analytici upozorňují, že údaj 11,95 nm nelze přímo srovnávat s označením technologií u konkurence.
CXMT měla ve druhém čtvrtletí 9,5 % globálních tržeb z DRAM, což ji řadí na čtvrté místo za Samsungem, SK hynix a Micronem. Rostoucí čínská produkce zmírňuje nedostatek běžných pamětí, rychlé LPDDR5 a DDR5 ale zůstávají vzhledem k poptávce po AI omezené.