ASML a TSMC 8. září oznámily společnou iniciativu, jejímž cílem je přesunout litografii High NA EUV ze současných 6palcových fotomasek na nový 12palcový formát. Změna míří na zkušební výrobní linku pro větší masky do roku 2031, s plnou připraveností litografických systémů pro výrobu na pokročilých uzlech do roku 2033.
High NA EUV zvyšuje numerickou aperturu extrémní ultrafialové litografie z 0,33 na 0,55, což výrobcům čipů umožňuje tisknout menší struktury s méně nákladnými kroky vícenásobného vzorování. TSMC plánuje nasadit High NA do velkosériové výroby od roku 2030 a uvádí, že počet vrstev vyžadujících tuto technologii poroste, jelikož AI čipy vyžadují stále složitější architektury tranzistorů. Přechod na 12palcové masky by odstranil nutnost „sešívat“ dvě 6palcové masky při expozici High NA, čímž by se zvýšila produktivita továren a snížily výrobní náklady.
ASML a TSMC uvádějí, že o připojení k iniciativě už projevili zájem další velcí dodavatelé zařízení a materiálů, což signalizuje širokou podporu odvětví pro tento víceletý přechod.