Samsung Electronics představil tři nové generace paměťových technologií na konferenci Future of Memory and Storage (FMS) 2026 v Santa Claře 5. srpna, s cílem řešit rostoucí paměťové hrdlo v AI datacentrech.
Klíčovou novinkou je zHBM, která staví vysokorychlostní paměť přímo na AI akcelerační čipy místo vedle nich — podle Samsungu tento návrh přinese zhruba 8násobný výkon a více než 10násobnou hustotu oproti dnešní HBM5, spolu s 3násobným zlepšením energetické účinnosti a snížením tepelného odporu o více než 50 %. Doplňková technologie zNAND-O ve čtyř- a osmivrstvé verzi cílí na nízkolatenční edge AI aplikace.
Samsungova V10 BV-NAND jde jinou cestou — pomocí technologie wafer bondingu nacpe do jednoho čipu více než 400 vrstev flash paměti, což je asi o 58 % hustší než předchozí generace V9, s rychlejším čtením, zápisem i I/O. zHBM a zNAND-O zatím zůstávají koncepčními modely, nikoli komerčně dostupnými produkty, ale oznámení naznačuje, kam se bude paměťový průmysl ubírat, jelikož AI zátěže vyžadují stále více šířky pásma blízko procesoru.