{"data":{"id":2221,"lang":"cs","title":"Samsung představil zHBM, zNAND-O a 400vrstvou BV-NAND paměť pro řešení AI datového hrdla","summary":"Samsung na FMS 2026 představil paměťové technologie zHBM, zNAND-O a 400vrstvou V10 BV-NAND, které mají řešit paměťové hrdlo AI systémů a nabídnout až 8násobný výkon oproti HBM5.","category":"technology","category_label":"Technologie","published_at":"2026-08-07T22:03:06Z","updated_at":"2026-08-07T22:03:06Z","url":"https://techtools.cz/tools/news/clanek/2221-samsung-predstavil-zhbm-znand-o-a-400vrstvou-bv-nand-pamet-pro-reseni-ai","api_url":"https://techtools.cz/news-api/v1/articles/2221?lang=cs","markdown_url":"https://techtools.cz/news-api/v1/articles/2221.md?lang=cs","image_url":"https://www.techspot.com/images2/news/bigimage/2026/08/2026-08-05-image-6.jpg","word_count":158,"reading_time_minutes":1,"sources":[{"url":"https://www.techspot.com/news/113361-samsung-reveals-next-gen-memory-stacked-hbm-400.html","domain":"techspot.com"},{"url":"https://news.samsung.com/global/samsung-unveils-next-gen-3d-memory-vision-at-fms-2026-charting-the-future-of-ai-infrastructure","domain":"news.samsung.com"}],"translation":{"lang":"en","id":2148,"title":"Samsung Unveils zHBM, zNAND-O and 400-Layer BV-NAND to Tackle AI's Memory Bottleneck","url":"https://techtools.cz/tools/news/article/2148-samsung-unveils-zhbm-znand-o-and-400-layer-bv-nand-to-tackle-ai-s-memory","api_url":"https://techtools.cz/news-api/v1/articles/2148?lang=en"},"content":"Samsung Electronics představil tři nové generace paměťových technologií na konferenci Future of Memory and Storage (FMS) 2026 v Santa Claře 5. srpna, s cílem řešit rostoucí paměťové hrdlo v AI datacentrech.\n\nKlíčovou novinkou je zHBM, která staví vysokorychlostní paměť přímo na AI akcelerační čipy místo vedle nich — podle Samsungu tento návrh přinese zhruba 8násobný výkon a více než 10násobnou hustotu oproti dnešní HBM5, spolu s 3násobným zlepšením energetické účinnosti a snížením tepelného odporu o více než 50 %. Doplňková technologie zNAND-O ve čtyř- a osmivrstvé verzi cílí na nízkolatenční edge AI aplikace.\n\nSamsungova V10 BV-NAND jde jinou cestou — pomocí technologie wafer bondingu nacpe do jednoho čipu více než 400 vrstev flash paměti, což je asi o 58 % hustší než předchozí generace V9, s rychlejším čtením, zápisem i I/O. zHBM a zNAND-O zatím zůstávají koncepčními modely, nikoli komerčně dostupnými produkty, ale oznámení naznačuje, kam se bude paměťový průmysl ubírat, jelikož AI zátěže vyžadují stále více šířky pásma blízko procesoru."}}