Samsung Electronics začal dodávat hlavním globálním zákazníkům vzorky 12vrstvé vysokorychlostní paměti HBM4E. Firma to oznámila 29. května a označila to za vůbec první dodávku této nové generace AI paměti v oboru. Krok přichází pouhé tři měsíce poté, co Samsung v únoru spustil sériovou výrobu šesté generace čipů HBM4, a má firmě pomoci dohnat náskok konkurentů SK Hynix a Micronu.
Nová 12vrstvá paměť dosahuje rychlosti až 16 gigabitů za sekundu na pin, nabízí propustnost až 3,6 terabajtu za sekundu a kapacitu 48 GB, což je o více než 30 % více než u předchozí generace. Je postavena na 1c DRAM procesu třídy 10 nm v kombinaci se 4nm logickou základní vrstvou pro lepší odvod tepla; chystají se i verze s 32 GB a 64 GB. Mezi cílové zákazníky patří Nvidia, AMD a Google.
Investoři milník přivítali: akcie Samsungu po zprávě vyskočily až o 6,5 %. Sériová výroba se načasuje podle plánů jednotlivých partnerů, čímž se čipy připravují pro další vlnu AI akcelerátorů.