Společnosti SK hynix a Sandisk představily na konferenci Future of Memory and Storage 2026 v Santa Claře první otevřenou specifikaci pro High Bandwidth Flash (HBF), zveřejněnou prostřednictvím Open Compute Project (OCP). HBF je nová paměťová vrstva umístěná mezi pamětí s vysokou šířkou pásma (HBM) a SSD disky, která kombinuje šířku pásma podobnou HBM s kapacitními výhodami NAND flash pamětí.
Specifikace podporuje kapacitu až 512 GB na jeden stack ve 375vrstvém provedení 4D NAND s 8 nebo 16 vrstvami čipů, se třemi výkonnostními třídami v rozsahu 0,4 TB/s až 3,0 TB/s, propojenými přes standard UCIe. Podle SK hynix přináší nová generace NAND 2,5násobné zlepšení energetické účinnosti oproti předchozí generaci.
Ke konsorciu OCP, které vzniklo v únoru 2026 — tedy jen šest měsíců před vydáním této první specifikace — se kromě Sandisku a SK hynix připojily i Google a Tenstorrent. Sériová výroba vysoce výkonných eSSD produktů založených na HBF je plánována na začátek roku 2027 a má zmírnit nedostatek šířky pásma a kapacity pamětí při AI inferenčních úlohách.